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IBM und Georgia Tech brechen den Silizium-Geschwindigkeitsrekord - 500 GHz!
Chip mit ca.500 GHz Taktfrequenz.
Ram Krithivasan am tiefgekühlten Silizium-Germanium-Chip.
"Diese bahnbrechende gemeinsame Forschung von Georgia Tech und IBM definiert die Leistungsgrenze von Silizium-basierten Halbleitern neu", sagt Bernie Meyerson, Vice President und Chief Technologist der IBM Systems and Technology Group.
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